Проектът Huaxia Semiconductor GaN се установи в Нингбо

На 19 април Huaxia Semiconductor Company успешно подписа договор с Бюрото за развитие на цифровата икономика на Beilun Development Zone за стартиране на GaN проект в Нингбо. Huaxia Semiconductor се фокусира върху R&D и производството на полупроводникови интегрални схеми, включително продукти като елементарни метали с висока чистота и съединения с висока чистота.