Projekt Huaxia Semiconductor GaN rozstrzygnięty w Ningbo

19 kwietnia firma Huaxia Semiconductor Company pomyślnie podpisała umowę z Biurem Rozwoju Gospodarki Cyfrowej Strefy Rozwoju Beilun na uruchomienie projektu GaN w Ningbo. Huaxia Semiconductor koncentruje się na badaniach i rozwoju oraz produkcji półprzewodnikowych układów scalonych, w tym produktów takich jak metale elementarne o wysokiej czystości i związki o wysokiej czystości.