Projekt Huaxia Semiconductor GaN se je ustalil v Ningboju

Podjetje Huaxia Semiconductor Company je 19. aprila uspešno podpisalo pogodbo z uradom za razvoj digitalne ekonomije Beilun Development Zone za začetek projekta GaN v Ningboju. Huaxia Semiconductor se osredotoča na raziskave in razvoj ter proizvodnjo polprevodniških integriranih vezij, vključno z izdelki, kot so elementarne kovine visoke čistosti in spojine visoke čistosti.