Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. je vložil 10 milijard juanov v izgradnjo projekta substrata iz silicijevega karbida

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. namerava vložiti skupno 10 milijard juanov v izgradnjo baze za raziskave in razvoj substrata iz silicijevega karbida in proizvodne baze. Projekt je razdeljen na tri faze gradnje, po pričakovanjih pa bo imel letno proizvodno zmogljivost 240.000 rezin iz silicijevega karbida. Poleg tega je podjetje podpisalo dolgoročne nabavne pogodbe s kupci na nižji stopnji, njegova prodaja pa naj bi v naslednjih nekaj letih dosegla milijarde juanov.