Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. ieguldīja 10 miljardus juaņu, lai izveidotu silīcija karbīda substrāta projektu

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. plāno ieguldīt kopumā 10 miljardus juaņu, lai izveidotu silīcija karbīda substrāta materiālu pētniecībā un attīstībā un ražošanas bāzē. Projekts ir sadalīts trīs būvniecības fāzēs. Paredzams, ka pirmajā posmā tiks ieguldīts 2,1 miljards juaņu. Turklāt uzņēmums ir parakstījis ilgtermiņa iepirkuma līgumus ar pakārtotajiem klientiem, un paredzams, ka tuvāko gadu laikā tā pārdošanas apjomi sasniegs miljardus juaņu.