Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. инвестира 10 милиарда юана за изграждане на проект за субстрат от силициев карбид

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. планира да инвестира общо 10 милиарда юана за изграждане на научноизследователска и развойна база за субстрат от силициев карбид и производствена база. Проектът е разделен на три фази на строителството. Очаква се първата фаза да инвестира 2,1 милиарда юана, той ще има годишен производствен капацитет от 240 000 пластини от силициев карбид и 50 000 епитаксиални пластини. Освен това компанията е подписала дългосрочни договори за закупуване с клиенти надолу по веригата и се очаква продажбите да достигнат милиарди юани през следващите няколко години.