Infineon lanceert innovatieve koudsnijtechnologie

Als reactie op de vraag naar SiC in de markten voor nieuwe energievoertuigen en fotovoltaïsche energieopslag heeft Infineon de technologie voor koudsnijden gelanceerd, die de benuttingsgraad van siliciumcarbidewafels effectief verbetert. Door langetermijnleveringsovereenkomsten te ondertekenen met meerdere waferfabrieken en samen te werken met Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. en Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Daarnaast breidt Infineon ook de productiecapaciteit van siliciumcarbide uit in Europa en Azië, en is het van plan om de komende twee jaar koudsnijtechnologie toe te passen op het rugverdunningsproces. Verwacht wordt dat de productiecapaciteit van siliciumcarbide van Infineon tegen 2027 tien keer zal toenemen.