Infineon lancerer innovativ pålægsteknologi

3
Som svar på efterspørgslen efter SiC på markederne for nye energikøretøjer og solcelleenergilagring har Infineon lanceret koldskæringsteknologi, som effektivt forbedrer udnyttelsesgraden af siliciumcarbidwafers. Ved at underskrive langsigtede leveringsaftaler med flere waferfabrikker og samarbejde med Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. og Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Derudover udvider Infineon også siliciumcarbidproduktionskapaciteten i Europa og Asien og planlægger at anvende koldskæringsteknologi til rygfortyndingsprocessen i de næste to år. Det forventes, at Infineons siliciumcarbidproduktionskapacitet vil stige 10 gange i 2027.