三星電子在人工智慧儲存晶片領域取得進展

三星電子在開發對人工智慧（AI）市場至關重要的儲存晶片方面遭遇一系列挫折後，開始在縮小與競爭對手SK海力士的差距方面取得進展。三星已獲得英偉達對其高頻寬記憶體（HBM）晶片HBM3期待已久的批准，並預計下一代HBM3E將在2~4個月內獲得批准。三星在7月31日的第二季財報會議上表示，第五代8層HBM3E產品目前正接受客戶評估，計劃今年第三季實現量產。