湖南三安半導體舉辦晶片二廠M6B設備入場儀式

湖南三安SiC計畫的總投資高達160億人民幣，目標是建立6吋/8吋相容SiC全產業鏈垂直整合量產平台。工程達產後，將具備年產36萬片6吋SiC晶圓、48萬片8吋SiC晶圓的製造能力。 M6B作為湖南三安在SiC產業佈局中的重要一環，其投產情況備受矚目。預計在今年的12月，M6B將實現點亮通線，8吋SiC晶片將正式投產，湖南三安半導體將正式轉型為8吋SiC垂直整合製造商。