Chuo Glass Jepun membangunkan teknologi pembuatan substrat SiC baharu

Chuo Glass Co., Ltd. Jepun baru-baru ini mengumumkan bahawa ia telah berjaya membangunkan teknologi pembuatan substrat silikon karbida (SiC) baharu. Kelebihan teknologi baru ini ialah ia dapat mengurangkan kos dan meningkatkan pengeluaran Berbanding dengan kaedah sublimasi suhu tinggi tradisional, kaedah fasa cecair mempunyai kelebihan yang jelas dalam pembuatan substrat SiC bersaiz besar dan berkualiti tinggi. Penggunaan teknologi baharu dijangka dapat mengurangkan kos pembuatan substrat lebih daripada 10% dan meningkatkan kadar hasil dengan ketara. Chuo Glass Co., Ltd. Jepun telah memulakan perbincangan dengan syarikat semikonduktor Eropah dan Amerika yang besar, dengan tujuan membenarkan pelanggan mengguna pakai substrat SiC yang dibuat dengan teknologi baharu. Central Glass merancang untuk mula menyediakan sampel kepada pelanggan seawal musim panas 2024 dan mencapai pengkomersilan pada 2027-2028.