Nexperia membangunkan dan menghasilkan tiga peranti proses di kilang Hamburg di Jerman

Untuk memenuhi permintaan jangka panjang yang semakin meningkat untuk semikonduktor kuasa berkecekapan tinggi, Nexperia akan membangunkan dan menghasilkan peranti dalam tiga proses (SiC, GaN dan Si) di kilang Hamburg, Jerman, bermula pada Jun 2024. Pada bulan yang sama, transistor mod-d GaN voltan tinggi dan barisan pengeluaran diod SiC syarikat akan memulakan pengeluaran. Nexperia berkata kejayaan seterusnya ialah pembinaan barisan pengeluaran kos efektif 8 inci moden untuk SiC MOSFET dan GaN HEMT voltan rendah. Barisan pengeluaran dijangka siap di kilang Hamburg dalam tempoh dua tahun akan datang.