Nexperia mengembangkan dan memproduksi tiga perangkat proses di pabriknya di Hamburg di Jerman

Untuk memenuhi permintaan jangka panjang yang terus meningkat akan semikonduktor daya efisiensi tinggi, Nexperia akan mengembangkan dan memproduksi perangkat dalam tiga proses (SiC, GaN, dan Si) di pabriknya di Hamburg, Jerman, mulai Juni 2024. Pada bulan yang sama, lini produksi transistor mode d GaN tegangan tinggi dan dioda SiC milik perusahaan akan mulai berproduksi. Nexperia mengatakan tonggak sejarah berikutnya adalah pembangunan jalur produksi modern hemat biaya 8 inci untuk SiC MOSFET dan GaN HEMT tegangan rendah. Jalur produksi diharapkan akan selesai di pabrik Hamburg dalam dua tahun ke depan.