Nexperia kehittää ja valmistaa kolmea prosessilaitetta Hampurin tehtaallaan Saksassa

Vastatakseen korkean hyötysuhteen tehopuolijohteiden kasvavaan pitkän aikavälin kysyntään Nexperia kehittää ja valmistaa laitteita kolmessa prosessissa (SiC, GaN ja Si) Hampurin tehtaalla Saksassa kesäkuusta 2024 alkaen. Samassa kuussa yrityksen suurjännite GaN d-mode transistori ja piikarbidiodi tuotantolinjat alkavat tuotantoa. Nexperia sanoi, että sen seuraava virstanpylväs on 8 tuuman modernin ja kustannustehokkaan tuotantolinjan rakentaminen SiC MOSFETille ja pienjännite GaN HEMT:lle. Tuotantolinjojen odotetaan valmistuvan Hampurin tehtaalla seuraavan kahden vuoden aikana.