Nexperia desenvolve e produz três dispositivos de processo em sua fábrica de Hamburgo, na Alemanha

Para atender à crescente demanda de longo prazo por semicondutores de potência de alta eficiência, a Nexperia desenvolverá e produzirá dispositivos em três processos (SiC, GaN e Si) em sua fábrica em Hamburgo, Alemanha, a partir de junho de 2024. No mesmo mês, as linhas de produção de transistor GaN d-mode de alta tensão e diodo SiC da empresa começarão a ser produzidas. A Nexperia disse que seu próximo marco será a construção de uma linha de produção moderna e econômica de 8 polegadas para SiC MOSFET e GaN HEMT de baixa tensão. As linhas de produção deverão ser concluídas na fábrica de Hamburgo nos próximos dois anos.