Nexperia entwickelt und produziert drei Prozessgeräte in seinem Hamburger Werk in Deutschland

Um den wachsenden langfristigen Bedarf an hocheffizienten Leistungshalbleitern zu decken, wird Nexperia ab Juni 2024 in seinem Werk in Hamburg, Deutschland, Geräte in drei Prozessen (SiC, GaN und Si) entwickeln und produzieren. Im selben Monat werden die Produktionslinien des Unternehmens für Hochspannungs-GaN-D-Modus-Transistoren und SiC-Dioden mit der Produktion beginnen. Nexperia sagte, sein nächster Meilenstein werde der Bau einer modernen, kostengünstigen 8-Zoll-Produktionslinie für SiC-MOSFET und Niederspannungs-GaN-HEMT sein. Die Fertigstellung der Produktionslinien im Hamburger Werk ist für die nächsten zwei Jahre geplant.