快报列表

Innoscience und United Electronics gründen gemeinsam ein Galliumnitrid-Technologielabor 2025-08-03 07:50
Infineon plant die Auslieferung von CoolGaN-Mustern 2025-06-17 08:50
China Resources Microelectronics feiert in Dalian den milliardsten GaN-Chip 2025-05-20 08:20
Indiens Polymatech investiert 130 Millionen Dollar in GaN-Chipfabrik 2025-05-09 08:00
Innoscience produziert 1200-V-Hochspannungs-GaN-Geräte in Massenproduktion 2025-04-18 12:30
Polar Semiconductor und Renesas Electronics schließen strategische Vereinbarung zur Förderung der Kommerzialisierung von GaN-Bauelementen 2025-04-18 11:10
Mazda und Rohm arbeiten bei Galliumnitrid-Automobilkomponenten zusammen 2025-04-01 16:31
STMicroelectronics und Innoscience bündeln ihre Kräfte bei der Entwicklung der GaN-Technologie 2025-04-01 16:31
Navitas Semiconductor erwartet solides Umsatzwachstum bis 2024 2025-03-05 13:20
Nexperia bringt das CCPAK GaN FET-Portfolio auf den Markt und läutet damit eine neue Ära der Verpackung von Leistungsbauelementen ein 2025-02-19 13:31
Universität Nagoya und Panasonic Automotive Systems entwickeln kompakten OBC 2025-02-15 18:00
Changan Automobile bringt die weltweit erste Ladetechnologieplattform für Nutzfahrzeuge auf Galliumnitrid-Basis auf den Markt 2025-02-14 13:40
Innoscience gab an der Börse von Hongkong bekannt, dass es drei Unternehmen wegen Verletzung seiner Patente im Zusammenhang mit Galliumnitrid (GaN) verklagt hat. 2025-01-22 13:00
Südkoreas SK Semiconductor entwickelt 650-V-GaN-HEMT 2025-01-17 01:10
Der Leistungshalbleitermarkt wird einen strukturellen Wandel einläuten 2025-01-16 23:20

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