Друге покоління SiC MOSFET від Xinta Electronics досягає лідерства в галузі

Xinta Electronics успішно випустила SiC MOSFET другого покоління. Ця серія продуктів досягла чудових результатів з точки зору коефіцієнта якості пристрою та ефективності захисту від перехресних перешкод, ставши лідером галузі. У той же час майбутній SiC MOSFET третього покоління від Xinta Electronics досяг значних технологічних інновацій на рівні осередку, а його загальна продуктивність була ще більше покращена.