A Xinta Electronics második generációs SiC MOSFET-je eléri az iparág vezető pozícióját

A Xinta Electronics sikeresen sorozatban gyártotta a második generációs SiC MOSFET-et. Ez a terméksorozat figyelemre méltó eredményeket ért el az eszköz érdemi tényezője és a kapu keresztmetszet-gátló teljesítménye tekintetében, és iparágvezetővé vált. Ugyanakkor a Xinta Electronics közelgő harmadik generációs SiC MOSFET-je jelentős technológiai újításokat ért el cellaszinten, és általános teljesítménye tovább javult.