SiC MOSFET drugiej generacji firmy Xinta Electronics osiąga pozycję lidera w branży

Xinta Electronics z sukcesem wyprodukowała masowo tranzystor MOSFET SiC drugiej generacji. Ta seria produktów osiągnęła niezwykłe wyniki pod względem współczynnika wartości urządzenia i wydajności przeciwprzesłuchowej bramki, stając się liderem w branży. Jednocześnie nadchodząca trzecia generacja SiC MOSFET firmy Xinta Electronics osiągnęła istotne innowacje technologiczne na poziomie ogniwa, a jego ogólna wydajność uległa dalszej poprawie.