Второто поколение SiC MOSFET на Xinta Electronics постига лидерство в индустрията

Xinta Electronics успешно произвежда второто поколение SiC MOSFET. Тази серия от продукти постигна забележителни резултати по отношение на фактора заслуги на устройството и производителността на гейта срещу кръстосано преследване, превръщайки се в лидер в индустрията. В същото време предстоящото трето поколение SiC MOSFET на Xinta Electronics постигна големи технологични иновации на ниво клетка и цялостната му производителност беше допълнително подобрена.