Le MOSFET SiC de deuxième génération de Xinta Electronics accède au leadership du secteur

Xinta Electronics a produit avec succès en série le MOSFET SiC de deuxième génération. Cette série de produits a obtenu des résultats remarquables en termes de facteur de mérite du dispositif et de performances anti-diaphonie de grille, devenant ainsi un leader du secteur. Dans le même temps, le prochain MOSFET SiC de troisième génération de Xinta Electronics a réalisé des innovations technologiques majeures au niveau des cellules et ses performances globales ont été encore améliorées.