Der SiC-MOSFET der zweiten Generation von Xinta Electronics erreicht Branchenführerschaft

Xinta Electronics hat den SiC-MOSFET der zweiten Generation erfolgreich in Massenproduktion hergestellt und erzielte bemerkenswerte Ergebnisse in Bezug auf den Geräteleistungsfaktor und die Gate-Anti-Crosstalk-Leistung und wurde zum Branchenführer. Gleichzeitig hat der kommende SiC-MOSFET der dritten Generation von Xinta Electronics bedeutende technologische Innovationen auf Zellebene erzielt und seine Gesamtleistung wurde weiter verbessert.