Дослідницька група Пекінського університету долає технічне вузьке місце пристроїв живлення на основі GaN

За останні п’ять років дослідницька група Школи інтегральних схем Пекінського університету та передового інноваційного центру інтегральних схем успішно розв’язала три основні технічні проблеми силових пристроїв на основі GaN: вузьке місце частоти, вузьке місце надійності та вузьке місце стійкості до напруги. . Завдяки інноваційним методам вони досягли інтеграції високовольтного мосту та низьковольтної інтеграції CMOS, а також розробили високовольтні пристрої на основі GaN на 10 000 вольт. Ці результати досліджень посідають провідне місце в усьому світі, а на міжнародних конференціях з електронних пристроїв було опубліковано п’ять високоякісних статей.