A Pekingi Egyetem kutatócsoportja áttöri a GaN-alapú áramforrások műszaki szűk keresztmetszetét

Az elmúlt öt évben a Pekingi Egyetem Integrált Áramkörök Iskolájának és az Integrált Áramkörök Fejlett Innovációs Központjának kutatócsoportja sikeresen megoldotta a GaN-alapú áramforrások három fő műszaki kihívását: a frekvencia szűk keresztmetszetét, a megbízhatósági szűk keresztmetszetet és a feszültségállósági szűk keresztmetszetet. . Innovatív módszerekkel valósították meg a nagyfeszültségű hídintegrációt és az alacsony feszültségű CMOS-integrációt, valamint 10 000 voltos GaN alapú nagyfeszültségű eszközöket fejlesztettek ki. Ezek a kutatási eredmények világszerte vezető helyen állnak, és öt minőségi közlemény jelent meg nemzetközi elektronikai eszközkonferenciákon.