Teamet från Peking University inser GaN-baserat CMOS integrerat kretschip med minimal överföringsfördröjning
Saida Semiconductor
galliumnitrid
CMOS
De
De
Peking
överföring
gång
öka
transistor
kanal
bas
överföring
ram
2024-12-25 20:21
0
Genom att föreslå konceptet med polarisationsförstärkt jonisering har forskargruppen från Peking University framgångsrikt realiserat ett GaN-baserat CMOS-chip med minimal överföringsfördröjning. Denna teknik ökar kraftigt strömtätheten hos p-kanaltransistorer.
