Teymi háskólans í Peking gerir sér grein fyrir GaN-undirstaða CMOS samþættra hringrásarflögu með lágmarks sendingartöf

Með því að stinga upp á hugmyndinni um skautun aukna jónun, tókst rannsóknarteymi Peking háskóla að átta sig á GaN-undirstaða CMOS samþættra hringrásarflís með lágmarks sendingartöf. Þessi tækni eykur straumþéttleika p-rás smára til muna.