Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investeeris ränikarbiidist substraadi projekti ehitamiseks 10 miljardit jüaani

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. plaanib ränikarbiidist substraadi materjali uurimis- ja arendustegevuse ning tootmisbaasi ehitamiseks investeerida kokku 10 miljardit jüaani. Projekt on jagatud kolmeks ehitusetapiks. Esimeses etapis on oodata 2,1 miljardit jüaani, mille aastane tootmisvõimsus on 240 000 juhtivat ränikarbiidist plaati ja 50 000 epitaksiaalplaati. Lisaks on ettevõte sõlminud pikaajalised ostulepingud alljärgnevate klientidega ning müük peaks lähiaastatel ulatuma miljarditesse jüaanidesse.