Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. uložio je 10 milijardi juana u izgradnju projekta supstrata od silicij karbida

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. planira uložiti ukupno 10 milijardi juana u izgradnju baze za istraživanje i razvoj materijala za podlogu od silicij karbida i proizvodnje. Projekt je podijeljen u tri faze izgradnje, a očekuje se da će po završetku imati godišnji proizvodni kapacitet od 240 000 pločica od silicij-karbida. Osim toga, tvrtka je potpisala dugoročne kupovne ugovore s kupcima na nižoj razini, a očekuje se da će njezina prodaja dosegnuti milijarde juana u sljedećih nekoliko godina.