Společnost Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investovala 10 miliard juanů do výstavby projektu substrátu z karbidu křemíku

Společnost Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. plánuje investovat celkem 10 miliard juanů do vybudování výzkumné a výrobní základny substrátového materiálu z karbidu křemíku. Projekt je rozdělen do tří fází výstavby. Očekává se, že první fáze bude investovat 2,1 miliardy juanů, po dokončení bude mít roční výrobní kapacitu 240 000 vodivých substrátů z karbidu křemíku a 50 000 epitaxních plátků. Společnost navíc podepsala dlouhodobé kupní smlouvy s následnými zákazníky a očekává se, že její tržby v příštích několika letech dosáhnou miliard juanů.