Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investovala 10 miliárd juanov do výstavby projektu substrátu z karbidu kremíka

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. plánuje investovať celkovo 10 miliárd juanov na vybudovanie výskumnej a výrobnej základne substrátového materiálu z karbidu kremíka. Projekt je rozdelený do troch fáz výstavby. V prvej fáze sa očakáva investícia 2,1 miliardy juanov. Po dokončení bude mať ročnú výrobnú kapacitu 240 000 doštičiek s vodivým substrátom z karbidu kremíka a 50 000 epitaxných doštičiek. Okrem toho spoločnosť podpísala dlhodobé nákupné zmluvy s následnými zákazníkmi a očakáva sa, že jej tržby v najbližších rokoch dosiahnu miliardy juanov.