Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investiu 10 bilhões de yuans para construir um projeto de substrato de carboneto de silício

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. planeja investir um total de 10 bilhões de yuans para construir uma base de produção e P&D de material de substrato de carboneto de silício. O projeto está dividido em três fases de construção. A primeira fase deverá investir 2,1 bilhões de yuans. Após a conclusão, terá uma capacidade de produção anual de 240.000 wafers de substrato de carboneto de silício condutores e 50.000 wafers epitaxiais. Além disso, a empresa assinou contratos de compra de longo prazo com clientes downstream e espera-se que suas vendas atinjam bilhões de yuans nos próximos anos.