Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. a investi 10 milliards de yuans pour construire un projet de substrat en carbure de silicium

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. prévoit d'investir un total de 10 milliards de yuans pour construire une base de R&D et de production de matériaux de substrat en carbure de silicium. Le projet est divisé en trois phases de construction. La première phase devrait investir 2,1 milliards de yuans. Une fois achevée, elle aura une capacité de production annuelle de 240 000 tranches de substrat conducteur en carbure de silicium et de 50 000 tranches épitaxiales. En outre, l'entreprise a signé des contrats d'achat à long terme avec des clients en aval, et ses ventes devraient atteindre des milliards de yuans au cours des prochaines années.