De eerste fase van het Jingyitong Semiconductor IGBT-project is afgetopt en de jaarlijkse outputwaarde zal naar verwachting 1 miljard yuan bereiken.

De eerste fase van het IGBT-modulemateriaal en het verpakkings- en testmodule-industrieparkproject van Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. is met succes afgesloten. De totale investering van het project bedraagt ​​1,2 miljard yuan en de jaarlijkse outputwaarde zal naar verwachting 1 miljard yuan bedragen. Het project bevindt zich in het Baima Electronic Information Industrial Park, de Neijiang Hightech Zone, en zal naar verwachting in april volgend jaar worden voltooid en opgeleverd.