Den første fase af Jingyitong Semiconductor IGBT-projektet er begrænset, og den årlige outputværdi forventes at nå 1 milliard yuan.

Den første fase af Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. er blevet afsluttet med succes. Den samlede investering i projektet er 1,2 milliarder yuan, og den årlige outputværdi forventes at nå 1 milliard yuan. Projektet er placeret i Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang High-tech Zone, og forventes afsluttet og leveret i april næste år.