Samsung Electronics začne sériovo vyrábať V-NAND flash pamäte deviatej generácie

Podľa zdrojov sa očakáva, že Samsung Electronics začne sériovú výrobu 9. generácie V-NAND flash pamäte koncom tohto mesiaca a počet naskladaných vrstiev flash pamäte dosiahne 290. Keďže dopyt po vysokovýkonných a veľkokapacitných úložných zariadeniach rastie, Samsung Electronics plánuje budúci rok uviesť na trh aj 430-vrstvové čipy NAND.