Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci flash V-NAND dziewiątej generacji

Według źródeł firma Samsung Electronics ma rozpocząć masową produkcję pamięci flash V-NAND dziewiątej generacji jeszcze w tym miesiącu, a liczba ułożonych warstw pamięci flash osiągnie 290. W miarę wzrostu zapotrzebowania na wysokowydajne i wielkogabarytowe urządzenia pamięci masowej firma Samsung Electronics planuje również wprowadzenie na rynek w przyszłym roku 430-warstwowych chipów NAND.