三星電子將量產第9代V-NAND快閃記憶體

消息人士透露，三星電子預計將在本月下旬開始量產第9代V-NAND快閃記憶體，該快閃記憶體的堆疊層數將達到290層。隨著對高性能和大型儲存設備需求的成長，三星電子也計劃明年推出430層NAND晶片。