Першая фаза інвестыцый YOFC у НДДКР і вытворчай базы перадавых паўправадніковых сілавых прылад трэцяга пакалення складае 10 мільярдаў юаняў.
360
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
ключ
вытворчасць
права
канал
360
дызайн
час
прылады
цяга
таксі
юаняў
год
паўправадніковы
SiC
2024-12-23 12:06
59
Першы этап навукова-даследчай і вытворчай базы ўдасканаленых паўправадніковых сілавых прылад трэцяга пакалення YOFC мае агульны аб'ём інвестыцый у 10 мільярдаў юаняў і можа вырабляць 360 000 SiC MOSFET пласцін штогод, уключаючы эпітаксію, дызайн прылады, вытворчасць пласцін, упакоўку і іншыя аспекты.
