Investice první fáze projektu výzkumu a vývoje polovodičových energetických zařízení třetí generace a výrobní základny společnosti YOFC je 10 miliard juanů.

První fáze projektu výzkumu a vývoje polovodičových energetických zařízení třetí generace a výrobní základny YOFC má celkovou investici 10 miliard juanů a může ročně vyrobit 360 000 waferů SiC MOSFET, včetně epitaxe, designu zařízení, výroby waferů, balení a dalších aspektů.