Infineon lansira inovativno tehnologijo hladnega rezanja

Kot odgovor na povpraševanje po SiC na trgih novih energetskih vozil in fotonapetostnega shranjevanja energije je Infineon uvedel tehnologijo hladnega rezanja, ki učinkovito izboljša stopnjo izkoriščenosti rezin iz silicijevega karbida. S podpisom dolgoročnih pogodb o dobavi z več tovarnami rezin in sodelovanjem s Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. in Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Poleg tega Infineon prav tako širi proizvodne zmogljivosti silicijevega karbida v Evropi in Aziji in načrtuje uporabo tehnologije hladnega rezanja v postopku zadnjega redčenja v naslednjih dveh letih. Pričakuje se, da se bo Infineonova proizvodna zmogljivost silicijevega karbida do leta 2027 povečala za 10-krat.