Infineon запускает инновационную технологию холодной резки

В ответ на спрос на SiC на рынках новых энергетических транспортных средств и фотоэлектрических накопителей энергии компания Infineon запустила технологию холодной резки, которая эффективно повышает коэффициент использования пластин карбида кремния. Подписав долгосрочные соглашения о поставках с несколькими заводами по производству пластин и сотрудничая с Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. и Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Кроме того, Infineon также расширяет мощности по производству карбида кремния в Европе и Азии и планирует в ближайшие два года применить технологию холодной резки для процесса обратного утонения. Ожидается, что к 2027 году мощности Infineon по производству карбида кремния увеличатся в 10 раз.