Infineon lancéiert innovativ Kältekneidertechnologie

Als Äntwert op d'Demande fir SiC an den neien Energiefahrzeugen a Photovoltaikenergiespäichermäert, huet Infineon d'Kälteschneidtechnologie gestart, déi effektiv d'Notzungsquote vu Siliziumkarbidwafer verbessert. Andeems Dir laangfristeg Versuergungsverträg mat multiple wafer Fabs ënnerschreift, a mat Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. a Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Zousätzlech erweidert Infineon och Siliziumkarbidproduktiounskapazitéit an Europa an Asien, a plangt d'Kälteschneidentechnologie fir de Réckdënnungsprozess an den nächsten zwee Joer anzesetzen. Et gëtt erwaart datt d'Infineon Siliziumkarbid Produktiounskapazitéit 10 Mol bis 2027 eropgeet.