Infineon bringt innovative Kaltschneidetechnologie auf den Markt

Als Reaktion auf die Nachfrage nach SiC in den Märkten für neue Energiefahrzeuge und Photovoltaik-Energiespeicher hat Infineon die Kaltschneidetechnologie auf den Markt gebracht, die die Ausnutzungsrate von Siliziumkarbid-Wafern effektiv verbessert. Durch die Unterzeichnung langfristiger Lieferverträge mit mehreren Waferfabriken und die Zusammenarbeit mit Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. und Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. Darüber hinaus erweitert Infineon auch die Produktionskapazitäten für Siliziumkarbid in Europa und Asien und plant, in den nächsten zwei Jahren die Kaltschneidetechnologie auf den Rückseitendünnungsprozess anzuwenden. Es wird erwartet, dass sich die Siliziumkarbid-Produktionskapazität von Infineon bis 2027 verzehnfachen wird.