Μονάδα μισής γέφυρας 62 mm της Infineon που χρησιμοποιεί τσιπ 1200V SiC M1H

Κυκλοφόρησε η μονάδα μισής γέφυρας 62 mm του νέου τσιπ 1200V SiC M1H της Infineon, με μέγιστη προδιαγραφή 1 mΩ. Η μονάδα χρησιμοποιεί τεχνολογία τσιπ M1H για να βελτιώσει την απόδοση του παραθύρου VGS(th), RDS(on) drift και πύλης τάσης κίνησης. Επιπλέον, είναι διαθέσιμη μια προ-εφαρμοσμένη έκδοση Thermal Interface Material (TIM). Αυτή η μονάδα είναι κατάλληλη για φόρτιση ηλεκτρικών οχημάτων, φωτοβολταϊκούς μετατροπείς, UPS και άλλα πεδία.