英飛凌採用1200V SiC M1H晶片的62mm半橋模組

英飛凌新款1200V SiC M1H晶片的62mm半橋模組已推出，最大規格為1mΩ。本模組採用M1H晶片技術，改善了VGS(th)、RDS(on)漂移和閘極驅動電壓視窗的效能。此外，還提供了預塗導熱界面材料（TIM）版本。此模組適用於電動車充電、光伏逆變器和UPS等領域。