ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာစွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အပြုသဘောဆောင်သော ဗို့အားကို ဂိတ်မှမောင်းနှင်သည့် သက်ရောက်မှု

အပြုသဘောဆောင်သောဂိတ်ဗို့အားသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုနှင့် MOSFETs နှင့် IGBTs များ၏ turn-on ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချနိုင်သော်လည်း short-circuit ခံနိုင်ရည်အား ထိခိုက်နိုင်သည်။ 1200V IGBT အတွက် 1200V SiC MOSFET အတွက် 15V driver ကို အသုံးပြုရန် အကြံပြုထားပြီး 18V driver ကို အသုံးပြုရန် အကြံပြုထားသည်။