Effekt av positiv spenning på portdriften på effekthalvlederytelse

Positiv portspenning kan redusere ledningstap og slå-på-tap for MOSFET-er og IGBT-er, men kan påvirke kortslutningsmotstandsevnen. For 1200V IGBT anbefales det å bruke 15V driver for 1200V SiC MOSFET, det anbefales å bruke 18V driver.