Επίδραση της θετικής τάσης κίνησης πύλης στην απόδοση ημιαγωγών ισχύος

Η θετική τάση πύλης μπορεί να μειώσει τις απώλειες αγωγιμότητας και τις απώλειες ενεργοποίησης των MOSFET και IGBT, αλλά μπορεί να επηρεάσει τις δυνατότητες αντοχής σε βραχυκύκλωμα. Για 1200V IGBT, συνιστάται η χρήση προγράμματος οδήγησης 15V για MOSFET SiC 1200V, συνιστάται η χρήση προγράμματος οδήγησης 18V.