Effekt vun Gate Drive positiv Volt op Muecht semiconductor Leeschtung

Positiv Paartspannung kann d'Leedungsverloschter reduzéieren an d'Uschaltverloschter vu MOSFETs an IGBTs reduzéieren, awer kënnen d'Kuerzschlussstandsfäegkeeten beaflossen. Fir 1200V IGBT ass et recommandéiert 15V Chauffer fir 1200V SiC MOSFET ze benotzen, et ass recommandéiert 18V Chauffer ze benotzen.